间歇结晶罐设备结构形式以及操作方式都比较简单，但是常见壁面结疤、粒度小等诸多问题。如下几个因素是我们在结晶操作过程中需着重考虑的地方：
一、结晶温度控制
结晶过程是溶液产生过饱和然后晶核在过饱和环境中逐渐生长的过程。冷却结晶器的溶液过饱和通过罐壁（或盘管）降温实现。溶液所能容纳的过饱和程度是有上限的，当高过其能承载能力后会自发成核。间歇结晶罐的罐壁、盘管处温度低，极易结晶附着。尤其换热温差过大时，换热面处过冷度，溶液的过饱和程度也越大，当超过限度后会析出晶体附着在换热面，从而严重影响换热效率，正所谓欲速则不达。所以为了获得较高的降温效率，冷源温度应随物料温度的下降而依次下降，从而避免温差过大导致过冷结晶粘壁。
二、搅拌器形式
结晶器中搅拌器的作用是用以物料的混合分散，使得物料获得均等降温机会，晶核能够获得过饱和进行生长。但是过快的搅拌速度对晶体的打击破损不容小觑，所以一个合适的搅拌形式以及较低的转速就显得尤为重要。
三、原料液浓度和晶种
原料浓度较高且单次收率较高的来液，因有充分的溶质可供晶体生长，通常晶体粒度较大。但是对于来料浓度较低，或本身其溶解度较低的物料，因溶液中可供结晶的溶质总量有限，所产晶体粒度通常较小，为了获得较大颗粒产品，可以考虑在在结晶过程添加晶种的方式使得晶体再获得生长机会从而获得大颗粒晶体。
上一篇：连续结晶器和间歇结晶罐的区别 下一篇： 板式MVR蒸发器特点
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------